《炬丰科技-半导体工艺》GaN发光二极管衬底材料
图书:《巨峰科技-半导体技术》
文章:GaN发光二极管衬底材料研究进展
编号:JFKJ-21-311
< p>作者:巨峰科技摘要
? GaN基发光二极管作为第三代照明器件,近年来发展迅速。基板材料作为 LED 制造 基本上,它对器件的制备和应用有着极其重要的影响。本文分析总结了影响LED器件设计和制造的基板材料的关键特性(晶格结构、热膨胀系数、导热系数、透光率、电导率),比较了几种常见基板材料(蓝宝石)的研究进展。 、碳化硅、单晶硅、氮化镓、氧化镓)在高质量外延层生长、高性能器件设计和衬底材料制备方面,并比较了几种常见的衬底材料。对这些材料的发展进行了展望。
关键词:发光二极管,氧化镓,蓝宝石,碳化硅
简介
?自1993年InGaN将蓝色发光二极管(LED)引入市场以来,LED的发光效率实现了质的飞跃。以GaN为代表的III族氮化物半导体材料已成为固态照明领域最有前途的材料,是高效白光LED照明的商业化发展方向。提供了可能性。
LED的制备及影响其性能的关键因素以及基板材料对其的影响
?表征LED性能的首要考虑参数是:发光效率和光通量,其正向电压、正向电流、与LED工作时的内量子效率)、外量子效率与光提取率的关系为
< p>基板材料的特性及应用现状
微蓝宝石
碳化硅
单晶硅略
总结与展望
?
?基板材料所需的性能由LED器件的性能决定。大功率、高光效是LED器件发展的必然方向。作为LED核心的基板材料——有源层结构生长的基础。
文章来源:《材料研究学报》 网址: http://www.clyjxbzz.cn/zonghexinwen/2021/0824/1647.html
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